Gd2CuO4薄膜与Si, SiO2/Si基底界面相互作用研究

• 作者: 姚文清 张英侠 曹立礼 朱永法
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: Gd2CuO4薄膜 晶化 界面 扩散 AES
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 1703-1706
• 页数: 4页
• 分类号: O643
• 字数: 3134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2001.10.014

摘要

采用XRD和俄歇电子能谱(AES)等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用, 发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响. 以单晶Si为基底时, Gd2CuO4薄膜经600 ℃热处理1 h即可形成钙钛矿型晶体结构, 而以SiO2/Si为基底时, 经700 ℃热处理1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构. Gd2CuO4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大, 热处理时间对晶粒度则影响较小. AES深度剖析表明, 形成的薄膜组成均匀, 在界面上有一定程度的扩散. 以Si为基底时, Gd2CuO4与基底Si相互扩散, 以SiO2/Si为基底时则主要是薄膜中Gd, Cu向SiO2层中的扩散. AES线性分析表明, 在薄膜与基底的界面上, 各元素的俄歇电子动能发生位移, 表明基底作用使界面上元素的化学环境发生了变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱永法	清华大学化学系	72	1238	21.0	33.0
2	姚文清	清华大学化学系	32	302	9.0	16.0
3	曹立礼	清华大学化学系	24	444	10.0	21.0
4	张英侠	清华大学化学系	2	4	2.0	2.0