锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

• 作者: 叶春暖 吴雪梅 姚伟国 汤乃云 王曦 董业民 诸葛兰剑 陈静
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 锗纳米镶嵌薄膜 电致发光 发光机制
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 670-672
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4|TN383
• 字数: 3488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.038

摘要

采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海冶金研究所	195	2091	24.0	37.0
2	王曦	中国科学院上海冶金研究所	60	322	10.0	15.0
3	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
4	诸葛兰剑	苏州大学物理系	59	199	8.0	11.0
5	汤乃云	苏州大学物理系	10	38	4.0	5.0
6	叶春暖	苏州大学物理系	11	54	4.0	6.0
7	姚伟国	苏州大学物理系	21	66	4.0	6.0
8	董业民		10	15	2.0	3.0