惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

• 作者: 吴广明 周斌 孙骐 徐平 沈军 熊斌 王珏 王跃林 艾琳 邓忠生 陈玲燕 韩明
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 平面薄膜 自截止腐蚀 热蒸发 离子束刻蚀
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 707-711
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.010

摘要

平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3-4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备AI平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周斌	同济大学波耳固体物理研究所	140	1582	22.0	31.0
2	沈军	同济大学波耳固体物理研究所	199	2285	26.0	36.0
3	王珏	同济大学波耳固体物理研究所	79	1255	22.0	32.0
4	陈玲燕	同济大学波耳固体物理研究所	60	522	13.0	19.0
5	吴广明	同济大学波耳固体物理研究所	118	1607	22.0	32.0
6	熊斌		54	412	11.0	16.0
7	王跃林		84	623	14.0	18.0
8	邓忠生	同济大学波耳固体物理研究所	18	442	12.0	18.0
9	孙骐	同济大学波耳固体物理研究所	17	263	8.0	16.0
10	韩明		20	448	11.0	20.0
11	徐平	同济大学波耳固体物理研究所	6	14	2.0	3.0
12	艾琳	同济大学波耳固体物理研究所	2	5	1.0	2.0