利用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究IPN的介电常数

• 作者: 刘菊英 刘萍 张大博
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 化学
• 关键词: MIS结构 IPN电容电压特性 介电常数
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 化学工程
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: O613.3
• 字数: 1770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-671X.2001.05.014

摘要

采用自制的制膜工具在n型硅片上制备了互穿聚合物网络(IPN)绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆顶电极形成了Al/IPN/nSi(MIS)结构。在室温条件下测定了电容—电压(C—V)特性。根据测定的C—V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘萍		1	0	0.0	0.0
2	刘菊英		1	0	0.0	0.0
3	张大博		1	0	0.0	0.0