位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用

• 作者: 俞慧强 张荣 施毅 沈波 王国鹏 王慧田 郑有 陈克林 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化物气相外延(HVPE) 光助电化学(PEC)腐蚀 位错中止腐蚀
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 94-95,98
• 页数: 3页
• 分类号: O47
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2001.04.025

摘要

对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
5	俞慧强	南京大学物理系	9	65	3.0	8.0
6	郑有	南京大学物理系	7	30	3.0	5.0
7	王慧田	南京大学物理系	11	102	5.0	10.0
8	陈克林	南京大学物理系	1	0	0.0	0.0
9	王国鹏	南京大学物理系	1	0	0.0	0.0