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摘要:
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CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器
ATD电路
DWL技术
SOI ESD电路
两级灵敏放大器
用PSD9XX实现MCS96单片机在多页面上的程序运行
单片机
外围接口芯片
闪速存储器
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验
CMOS/SOI 4Kb
SRAM
抗总剂量辐照
基于FPGA的64kb/s时隙业务全交叉矩阵的设计
64kb/s时隙
交叉矩阵
乒乓操作
FPGA
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 茂矽集团的新茂科技推出内建4KB~64KB Flash的8位单片机
来源期刊 世界电子元器件 学科
关键词
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目 国际手机元器件专刊
研究方向 页码范围 72-72
页数 1页 分类号
字数 625字 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
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2001(0)
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
总下载数(次)
6
总被引数(次)
6108
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