化合物半导体

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 多量子阱 功能材料 光电流谱 电子干涉 弱耦合超晶格 第一激发态 选择刻蚀 基态电子 旁栅阈值电压
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 0103564GaAs 多量子阱的光电流谱[刊]/程兴奎//功能材料与器件学报.—2000,6（3）.—228～231（K）在 T=77K,测量了 GaAs 多量子阱的光电流,发现在 v=1312cm^-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。参5弱耦合超晶格中的高频自维持振荡（见0103837）GaAs 的 ICP 选择刻蚀研究（见0103741）MESFET 的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响（见0103694）