预注入对Si1-xCx合金形成的影响

• 作者: 孙国胜 李晋闽 林兰英 王引书 王玉田 王衍斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 固相外延 Si1-xCx合金
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 页码范围: 1329-1333
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.026

摘要

室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成.随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si1-xCx合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略.退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王引书	北京师范大学物理系	29	92	4.0	8.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
4	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
5	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
6	王衍斌	中国科学院近代物理研究所	6	16	3.0	4.0