C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

• 作者: 李晋闽 林兰英 王引书 王玉田 王衍斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xCx合金 离子注入 损伤缺陷 应变分布
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 979-984
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.006

摘要

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因．如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量，退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si1-xCx合金，而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成；但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化，预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成．与慢速退火工艺相比，快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成．离子注入的C原子在空间分布不均匀，退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王引书	北京师范大学物理系	29	92	4.0	8.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	王玉田	中国科学院半导体研究所	13	28	3.0	5.0
4	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
5	王衍斌	中国科学院近代物理研究所	6	16	3.0	4.0