C+注入Si中形成SiC的初步研究

• 作者: 刘兴辉 吴春瑜 王颖 黄和鸾
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 离子束合成 能量损失谱
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 电子科学与技术
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2000.01.011

摘要

将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45kev注入剂量为5×1017 cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴春瑜	辽宁大学电子系	56	150	6.0	9.0
2	刘兴辉	辽宁大学电子系	36	128	6.0	10.0
3	王颖	辽宁大学电子系	30	104	5.0	9.0
4	黄和鸾	辽宁大学电子系	2	4	1.0	2.0