C+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

• 作者: 李辉遒 莫党 阳生红 陈第虎 黄世平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 椭偏光谱 C+注入 SiC 异质结构
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1086-1091
• 页数: 6页
• 分类号: O485
• 字数: 3962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.009

摘要

用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉遒	中山大学物理系	7	72	4.0	7.0
2	莫党	中山大学物理系	18	141	6.0	11.0
3	阳生红	中山大学物理系	19	101	5.0	9.0
4	陈第虎	香港中文大学电子工程系材料技术研究中心	1	3	1.0	1.0
5	黄世平	香港中文大学电子工程系材料技术研究中心	1	3	1.0	1.0