Si(100)上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长

• 作者: 李志兵 王荣华 秦臻 韩平 韩甜甜
• 来源期刊: 江苏工业学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge1-xCx合金薄膜 化学气相淀积 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2005.02.010

摘要

用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在.红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0.67 eV到0.87 eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度.另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387 cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩平	南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室	22	92	6.0	9.0
2	李志兵	南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	王荣华	南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室	3	1	1.0	1.0
4	秦臻	南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	韩甜甜	南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室	1	0	0.0	0.0