热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

• 作者: 吴天如 唐正霞 张磊 沈鸿烈 黄海宾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热丝CVD 低温外延 单晶Si衬底 Si膜 Ge膜
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 603-607
• 分类号: O484
• 字数: 2982字
• 语种: 中文

摘要

采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge 薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析.结果表明:在衬底温度200 ℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0 cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04 cm-1.结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300 ℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3 cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220).研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	82	468	13.0	16.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
3	黄海宾	南京航空航天大学材料科学与技术学院	7	31	3.0	5.0
4	唐正霞	南京航空航天大学材料科学与技术学院	9	44	3.0	6.0
5	吴天如	南京航空航天大学材料科学与技术学院	10	38	3.0	6.0