RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱

• 作者: 宋琦 王彤彤 王笑夷 申振峰 郑宣鸣 陈红 高劲松
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 化学
• 关键词: Ge1-xCx薄膜 低压反应离子镀 X射线光电子能谱 离子辅助沉积
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 565-569
• 页数: 5页
• 分类号: O657.62|TN304.055
• 字数: 3389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.04.001

摘要

应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53～0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.