真空蒸发法制备ZnSe薄膜的X射线光电子能谱研究

• 作者: 余晓艳 马鸿文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空蒸发法 ZnSe薄膜 XPS分析 界面氧化状态
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1330-1333
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.027

摘要

本文用真空蒸发法制备了CIS太阳能电池中做缓冲材料的ZnSe薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)对制备薄膜的表面化学状态及沉积质量进行了研究,并用氩离子溅射进行剥蚀,逐层分析薄膜的化合态随深度的变化关系.XPS分析表明,ZnSe薄膜含有Zn、Se、O、C等元素,其中O、C为样品置于空气中所致,含量随剥蚀深度的加大而逐渐降低.Zn的光电子峰为Zn2p1/2和Zn2p3/2,Zn2p3/2的电子结合能为1021.90eV,对应着Zn2+的化合态,表明薄膜中zn以形式电荷为Zn2+的化合态形式存在;Se的光电子峰为Se3d,其电子结合能为54.30eV,对应着Se2-的化合态,表明薄膜中Se以形式电荷Se2-的化合态形式存在.分别经过1min、3min、7min、11min的剥蚀后,Zn和Se的光电子峰几乎没有改变,表明沉积的ZnSe薄膜表面和内部化学状态稳定一致.