半导体与微电子技术

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子技术 电特性 集成电路 等离子体 半导体物理 嵌入式系统 文章 分析与设计 会议录 设计技术
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 23-31
• 页数: 9页
• 分类号: TN

摘要

【正】 数字微反射镜装置的分析与设计(见0110825)0810 半导体物理Y2000-62525-429 0109509等离子体浸渍注入形成的超浅结电特性=Electricalcharacterization of Ultra-shallow junctions formed byplasma immersion implantation[会,英]/Yang,B.&Wong,H.//2000 IEEE Proceedings of 22nd Interna-tional Conference on Microelectronics.Vol.2.—429～432(EC)介绍了应用等离子体浸渍注入砷离子,制备超浅n~+p 结(～90nm)及其电特性。测量了温度在100～450K 范围内的正向和反向电流电压特性。对所有样品.IV 关系遵从下列规律:I∝V~m,m=3,在不同温度下 m 保持不变。参8