半导体物理

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 空穴电流 二氧化硅 少数载流子寿命 载流子输运 纳米级 基础物理 击穿时间 半导体物理 三阶非线性光学极化率 蒙特卡罗模拟
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 26-27
• 页数: 2页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2001-62791-1 0116577纳米级MOSFETs载流子输运基础物理=Essentialphysics of carrier transport in nanoscale MOSFETs[会,英]/Lundstrom,M.& Ren,Z.//2000 IEEE Interna-tional Conference on Simulation of Semiconductor Pro-cesses and Devices.—1～5(EC)Y2001-62791-34 0116578超薄二氧化硅中热空穴电流模拟:击穿时间与热空穴电流间的关系=Simulation of hot hole currents in ultra-thin silicon dioxides:the relationship between time tobreakdown and hot hole currents[会,英]/Ezaki,T.&Nakasato,H.//2000 IEEE Internatlonal Conference onSimulation of Semiconductor Processes and Devices.—34～37(EC)