Nb5+/Ti4+离子对O3气敏元件的性能改善

• 作者: 唐世洪 张勇华 曾庆立 梁平原 谭子尤 邓永和
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂离子 03气敏元件 影响
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 1918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.05.007

摘要

在W03中掺入Nb5+、Ti4+杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开溢脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响.