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摘要:
用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统--三元准周期超晶格系统的电子隧穿.结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内,而杂质的存在对系统的电子透射率谱有明显的影响.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱
来源期刊 广东工业大学学报 学科 物理学
关键词 准周期超晶格 紧束缚 杂质 透射率
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 14-17
页数 4页 分类号 O742
字数 1991字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7162.2002.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡敏 华南理工大学应用物理系 47 250 10.0 13.0
2 姚源卫 广东工业大学应用物理系 11 42 4.0 6.0
3 屈晔 华南理工大学应用物理系 5 18 2.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
准周期超晶格
紧束缚
杂质
透射率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
广东工业大学学报
双月刊
1007-7162
44-1428/T
16开
广东省广州市东风东路729号
1974
chi
出版文献量(篇)
2262
总下载数(次)
2
总被引数(次)
11966
论文1v1指导