离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究

• 作者: 张红兵 李道火
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: FTIR XPS 吸附态 结合态
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN204
• 字数: 2011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.014

摘要

本文对N+离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析,对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释.FTIR测试发现,辐照使Si-N键结合峰增强,说明辐照后Si-N键合数增加,而其它峰未发生变化.XPS全谱表明,量子点中的氧主要集中在其表面,辐照使量子点表面的氧含量增加,进一步通过XPS芯态能谱测试发现,辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态.我们认为SiO 2/Si3N4界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象,界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李道火	中国科学院安徽光学精密机械研究所	25	254	10.0	15.0
2	张红兵	中国科学院安徽光学精密机械研究所	5	102	4.0	5.0