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A Computational Approach for Point Defects in AIN Crystal
A Computational Approach for Point Defects in AIN Crystal
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A Computational Approach for Point Defects in AIN Crystal | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 氮化铝晶体 缺陷计算 半导体材料 薄膜表面缺陷 高温／高压电子设计 | ||
| 年，卷（期） | 2002,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 19 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O77 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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氮化铝晶体
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半导体材料
薄膜表面缺陷
高温／高压电子设计
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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CN：
开本：
出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
出版文献量（篇）
1640
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