立方氮化硼薄膜的制备与表征

• 作者: 唐云 张平 蔡志海 谭俊
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼 薄膜 制备工艺 表征
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 4367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2002.02.005

摘要

在对国内外立方氮化硼薄膜的制备工艺及其表征方法进行了综述的基础上,分析了立方氮化硼膜制备中存在的问题,即薄膜的内应力高,结合强度低,沉积温度高,沉积速率低,以及cBN中SP3键含量不稳定.并提出了今后的研究方向:①cBN膜成核生长机理问题;②低温下大面积、高速生长的异质外延和定向生长问题;③膜基结合问题;④发展新的成膜技术,寻求无毒无污染的反应材料;⑤开发cBN膜的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭俊	中国机械工程学会表面工程研究所	3	14	2.0	3.0
2	张平	中国机械工程学会表面工程研究所	8	109	5.0	8.0
3	蔡志海	装甲兵工程学院材料系	46	275	10.0	12.0
4	唐云	装甲兵工程学院材料系	4	15	2.0	3.0