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取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列的制备
取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列的制备
作者:
力虎林
李梦轲
王成伟
陆梅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳纳米管
硅纳米线
复合结构阵列
化学气相沉积
阳极氧化铝模板
摘要:
在阳极氧化铝模板(AAO)的取向微孔内, 利用化学气相沉积(CVD) 技术首先制备了两端开口高度取向的碳纳米管阵列, 再在碳纳米管中间的孔洞内沉积硅纳米线, 成功制备了碳纳米管/硅纳米线(CNTs/SiNWs)核鞘复合阵列结构. 用SEM, TEM, XRD等仪器分析了CNTs/SiNWs核鞘复合阵列和沉积在碳纳米管孔洞内的硅纳米线的生长特性和晶体结构, 利用I-V关系和Fowler-Nordheim方程研究了其场发射(FE)特性, 用荧光光谱分析仪分析了复合阵列的荧光(PL)特性. 证明了模板法制备的CNTs/SiNWs核鞘复合阵列结构可用来制作具有金属/半导体(M/S)特性的纳米PN结, 该复合阵列结构也使SiNWs包覆在CNTs惰性鞘内, 可防止SiNWs在空气中的进一步氧化. 制备出的CNTs/SiNWs核鞘复合阵列结构生长方向高度有序, 直径和长度易于控制, 极少产生其他制备方法中出现的纳米结构弯曲和相互缠绕现象.
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文献信息
篇名
取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列的制备
来源期刊
中国科学B辑
学科
化学
关键词
碳纳米管
硅纳米线
复合结构阵列
化学气相沉积
阳极氧化铝模板
年,卷(期)
2002,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
204-209
页数
6页
分类号
O6
字数
5095字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1006-9240.2002.03.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
力虎林
兰州大学化学系
68
1402
21.0
35.0
2
王成伟
兰州大学化学系
5
209
5.0
5.0
3
李梦轲
兰州大学化学系
4
101
4.0
4.0
4
陆梅
兰州大学化学系
6
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化学气相沉积
阳极氧化铝模板
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学(化学)
主办单位:
中国科学院
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-7224
CN:
11-5838/O6
开本:
出版地:
北京东黄城根北街16号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
3133
总下载数(次)
8
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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