玉米根系电容双向选择研究

• 作者: S.N.Mugo 张凤路
• 来源期刊: 作物学报
• 关键词: 玉米 根系电容 双向选择 干旱 氮胁迫
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 561-563
• 页数: 3页
• 分类号: Q945.65|S311
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0496-3490.2002.04.024

摘要

采用Pool 16以及按20%的录选比例, 用全姊妹交轮回选择方法对群体根系电容进行双向选择筛选出的4个世代的种子, 分别在干旱、氮胁迫和正常环境下进行了评定. 在高根系电容(壮根)选择中, 根系电容按1.29 nF*代-1增加; 而在低根系电容(弱根)选择中, 根系电容以0.99 nF*代-1降低. 两种选择在胁迫条件下籽粒产量都增加, 但在正常条件下, 壮根的产量增加而弱根的则降低. 在各条件下, 地上部干物重壮根的以0.35 t/hm2*代-1的幅度增加, 而弱根的以0.25 t/hm2*代-1的幅度降低. 雌雄穗开花间隔(ASI)在两种选择中均降低. 在壮根中叶片衰老指数降低更多. 因此, 对根系电容的高低的选择, 可能会影响到胁迫条件下植株的特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凤路	河北农业大学农学院	49	852	17.0	28.0
2	S.N.Mugo		1	6	1.0	1.0