硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型

• 作者: 丁扣宝
• 来源期刊: 浙江大学学报(工学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 MOS结构 产生区宽度模型
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 信息与电子工程
• 页码范围: 303-305
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2002.03.017

摘要

在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上,提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型,它也可以看作是对Zerbst模型的一种修正. 新模型的标准偏差小于Pierret模型的标准偏差. 实验数据的分析表明,用该模型得到的产生寿命值与Rabbani模型的结果基本一致.