FeS2 能隙的外压微扰调制

• 作者: 王淀佐 肖奇 胡岳华 邱冠周
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 密度泛函理论 电子结构 能隙 调制
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 188-193
• 页数: 6页
• 分类号: O521.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2002.03.005

摘要

采用基于密度泛函理论的自洽赝势方法,计算了FeS2 在外压调制下的电子结构性质.计算结果表明:随着压缩度的增加,外压调制下的Fe-S键长缩短,FeS2 小的能隙变宽,Fe 的d电子与S的p电子杂化增强,原子间相互作用增大.这一能隙随压力增大而增大的结果,与非导体在高压下金属化的特征相反.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱冠周	中南大学矿物系无机材料研究所	335	5466	36.0	53.0
2	肖奇	中南大学矿物系无机材料研究所	34	503	14.0	22.0
3	胡岳华	中南大学矿物系无机材料研究所	253	4227	35.0	46.0
4	王淀佐	中南大学矿物系无机材料研究所	50	1061	21.0	31.0