ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析

• 作者: 徐茵 王三胜 顾彪
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: GaN ECR-MOCVD 热力学分析 生长相图
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 70-73,84
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2002.10.016

摘要

基于热力学平衡和化学平衡理论,针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR-MOCVD)系统生长GaN的特点,给出了化学平衡模型和理论分析结果 .计算得出了六方GaN的生长驱动力ΔP与生长条件(Ⅲ族源输入分压P0Ga 、Ⅴ/Ⅲ比、生长温度)的关系.发现在600～900℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制.计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图.理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
2	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
3	王三胜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	97	5.0	9.0