Cu-CMP中磨料粒子的机械作用实验分析

• 作者: 刘玉岭 王弘英 王新
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 磨料 SiO2溶胶 机械作用
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 220-223
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.03.003

摘要

本文介绍的Cu-CMP实验中的磨料粒子是纳米硅溶胶(SiO2,20～30 nm).为得到高质量、高平整度的铜表面,采用SiO2溶胶抛光液对铜进行抛光实验,在给定的条件下,得到了磨料粒子的浓度与抛光速率间的机械作用曲线.实验结果表明:当SiO2溶胶浓度增大时,机械作用增强,抛光速率随之增加.当SiO2溶胶浓度控制在一定范围,使抛光表面在低表面张力下进行抛光时,抛光后的液体呈蓝色,抛光后的铜表面光亮无划伤,此时铜表面实现了高速率及高平整度的最佳效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭		263	1540	17.0	22.0
2	王弘英		4	26	3.0	4.0
3	王新		43	381	10.0	17.0