ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究

• 作者: 丁琨 彭中灵 方再利 李国华 袁诗鑫 陈晔 韩和相
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Te等电子陷阱 压力 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.01.007

摘要

测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国华	中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
2	方再利	中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	韩和相	中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室	8	9	2.0	3.0
4	丁琨	中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室	10	38	3.0	6.0
5	陈晔	中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室	15	42	4.0	5.0
6	彭中灵	中国科学院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0