平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

• 作者: 安涛 王彩琳
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平面型电力电子器件 阻断能力 击穿电压 场限环 优化设计 体击穿器件
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 154-158
• 页数: 5页
• 分类号: TN602
• 字数: 2689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2002.02.011

摘要

利用场限环终端结构及P+I(N-)N+体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力.提出了一种优化设计阻断能力的新方法,通过将器件作成体击穿器件,使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配,从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性,并降低器件的通态损耗及成本.最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性.该方法可直接推广到整流器、晶闸管、GTR、IGBT、IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩琳	西安理工大学自动化与信息工程学院	43	203	8.0	12.0
2	安涛	西安理工大学自动化与信息工程学院	50	182	7.0	11.0