1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作

• 作者: 任天令 刘理天 杨磊
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 ZnO/SiO2/Si结构 声表面波滤波器 中心频率 插损
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 声表面波技术
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: TN65
• 字数: 2444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2002.02.001

摘要

随着第三代通信技术的发展,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注.基于ZnO/SiO2/Si结构设计、制作了声表面波(SAW)射频(RF)滤波器,其工艺与普通的IC工艺兼容,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能.测试结果显示滤波器的中心频率可达1.12 GHz,带宽达10%,插损为11 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	杨磊	清华大学微电子学研究所	14	147	7.0	12.0