单电子晶体管及其SPM加工方法

• 作者: 刘庆纲 胡小唐 郑丽芬
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 SPM 场诱导氧化 库仑阻塞
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN201|TN325.2
• 字数: 3014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.07.002

摘要

在电子技术领域,高度集成化是人们不断追求的目标,纳米电子器件迎合了人们的这种需要,将逐步取代微电子器件成为芯片的主要单元.单电子器件以其高效、高功能、高速、低耗(可在常温下工作)、高集成化及经济可靠等优点受到了人们的广泛重视.纳米电子器件具有纳米量级,因而许多科研人员都致力于寻求一种良好的加工方法.SPM电场诱导氧化方法以其简单性和低成本越来越受到人们的广泛重视.主要介绍了单电子晶体管(SET)的结构及基本原理,着重介绍了大气状态下用SPM电场诱导氧化加工的制作原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘庆纲	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	45	189	8.0	10.0
2	胡小唐	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	205	1913	21.0	33.0
3	郑丽芬	天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	3	20	2.0	3.0