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摘要:
介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。
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中子探测器
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4H-SiC
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 肖特基二极管的新发展
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 肖特基二极管 应用 SBD 碳化硅 高压SBD
年,卷(期) 2002,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-21
页数 2页 分类号 TN311.7
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王振海 临沂师范学院计算机系 12 39 4.0 6.0
2 毛兴武 10 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
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节点文献
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2002(0)
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研究主题发展历程
节点文献
肖特基二极管
应用
SBD
碳化硅
高压SBD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导