肖特基二极管的新发展

• 作者: 毛兴武 王振海
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 应用 SBD 碳化硅 高压SBD
• 年，卷（期）: dzyqjyy_2002,（10）
• 页码范围: 20-21
• 页数: 2页
• 分类号: TN311.7

摘要

介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振海	临沂师范学院计算机系	12	39	4.0	6.0
2	毛兴武		10	1	1.0	1.0