CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching Factor的测量

• 作者: 刘延 岳骞 李浩斌 李金 王名儒 王子敬
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: CsI(Tl)晶体 中子弹性散射 暗物质 脉冲形状甄别
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 控测器
• 页码范围: 855-860
• 页数: 6页
• 分类号: O57
• 字数: 320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2002.08.019

摘要

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究. 本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的Quenching Factor. 在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号. 实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quenching Factor随着反冲核能量的减少而增加. 在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳骞	中国科学院高能物理研究所	5	18	2.0	4.0
2	李金	中国科学院高能物理研究所	49	130	6.0	9.0
3	刘延	中国科学院高能物理研究所	3	6	1.0	2.0