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摘要:
在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11~40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关.
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文献信息
篇名 不同X射线管电压下CsI和CsI(Tl)晶体的X射线辐照致发光
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 辐照致发光 CsI CsI (Tl) 曲线拟合
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 666-671
页数 6页 分类号 O734.3
字数 4061字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴正龙 北京师范大学分析测试中心 41 276 7.0 15.0
2 杨百瑞 北京师范大学物理系 9 39 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
辐照致发光
CsI
CsI (Tl)
曲线拟合
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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