(NH4)2Sx溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究

• 作者: 刘立浩 刘芳芳 杨瑞霞 申华军 邢东 郭荣辉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs MESFETs (NH4)2Sx处理 击穿电压 负电荷表面态
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 3256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.01.019

摘要

使用(NH4)2Sx溶液对GaAs MESFETs进行处理.处理后,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了,栅漏击穿电压有了显著提高.我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压,这就是(NH4)2Sx溶液处理可改善GaAs MESFETs击穿电压的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息学院	180	759	13.0	18.0
2	刘立浩	河北工业大学信息学院	4	8	2.0	2.0
3	申华军	河北工业大学信息学院	4	21	3.0	4.0
4	刘芳芳	河北工业大学信息学院	3	6	2.0	2.0
5	郭荣辉	西安电子科技大学微电子所	5	9	2.0	2.0
6	邢东		1	2	1.0	1.0