MgO-SiO2-TiO2系统Co、Ca离子掺杂的研究

• 作者: 吴霞宛 孙济洲 李小图 王洪儒
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 氧化钴 钛酸钙 离子掺杂
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 长江学者论坛
• 页码范围: 604-607
• 页数: 4页
• 分类号: TM281
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2003.06.013

摘要

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg-Si-Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明:适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11.3×10-4降低至0.15×10-4,同时使烧结温度降低了近40 ℃.适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙济洲	天津大学电子信息工程学院	157	1707	21.0	34.0
2	李小图	天津大学电子信息工程学院	9	55	3.0	7.0
3	吴霞宛	天津大学电子信息工程学院	52	469	11.0	19.0
4	王洪儒	天津大学电子信息工程学院	31	256	10.0	15.0