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摘要:
碳纳米管(CNT)作为理想的场发射阴极材料.它在场发射阴极阵列中的密度与阴极的场发射性能有着非常密切的关系.本文通过模拟计算找出了最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度,并通过实验进行了验证.实验证实浓度为2.5%的碳纳米管浆料制得的阴极有最佳的阵列密度.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度的研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 碳纳米管阴极阵列 最佳密度
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 379-382
页数 4页 分类号 TN104.3
字数 1972字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张宇宁 东南大学电子工程系 22 154 6.0 12.0
2 雷威 东南大学电子工程系 89 538 12.0 18.0
3 张晓兵 东南大学电子工程系 87 746 13.0 24.0
4 周雪东 东南大学电子工程系 4 28 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳纳米管阴极阵列
最佳密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导