厚层抗蚀剂显影轮廓分析

• 作者: 刘世杰 刘驰 彭钦军 杜惊雷 肖啸 郭永康
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 厚层抗蚀剂 显影轮廓 线宽 侧壁陡度
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.2
• 字数: 2466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2003.04.011

摘要

DILL曝光模型和MACK显影模型,编制了接触式曝光系统的厚层抗蚀剂光刻模拟软件,用其分析在理想曝光剂量条件下,抗蚀剂显影后的线宽和侧壁陡度随显影时间的变化规律,分析得出了给定厚度的抗蚀剂的显影时间,为实验工艺上严格控制显影时间提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理学院	87	836	16.0	21.0
2	杜惊雷	四川大学物理学院	77	611	13.0	18.0
3	刘世杰	四川大学物理学院	10	74	5.0	8.0
7	肖啸	四川大学物理学院	13	66	4.0	8.0
8	彭钦军	四川大学物理学院	7	116	5.0	7.0
9	刘驰	四川大学物理学院	2	15	2.0	2.0