PDP选址驱动芯片高压管设计

• 作者: 吴建辉 孙伟锋 陆生礼
• 来源期刊: 东南大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体平板显示 击穿 高压管 版图
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 134-137
• 页数: 4页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 2112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2003.02.004

摘要

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV-CMOS结构及其中的高低压转换电路,采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V,工作电流大于40mA.