ITO/Al2O3复合透明导电膜的制备及光电性能

• 作者: 刘坤 季振国 王超
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO Al2O3 复合膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 173-175,172
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21|TN304.055|O484.4
• 字数: 2452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.03.007

摘要

采用磁控溅射技术,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜.通过高温热处理,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2O3复合透明导电膜.研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能,结果表明,当预沉积Al层厚度为40 nm左右时,ITO的结晶质量得到提高,取向性能变好,电阻降低,而且在400-800 nm范围内具有很高的可见光透过率.实验表明,通过改变预沉积Al膜的厚度,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长,实现ITO预器件工作波长的匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学硅材料国家重点实验室	48	467	12.0	19.0
2	刘坤	浙江大学硅材料国家重点实验室	12	201	6.0	12.0
3	王超	浙江大学硅材料国家重点实验室	77	1026	15.0	30.0