机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进

• 作者: 卢景霄 李维强 谷锦华
• 来源期刊: 郑州大学学报(理学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 化学镀 机械刻槽 埋栅硅太阳电池
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 32-33,41
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6841.2003.02.009

摘要

采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象,使电池串联电阻由0.5 Ω降为0.1 Ω.在化学镀银过程中,采用聚四氟乙烯材料作容器,避免了银沉积容器内壁.镀液中加入络合剂-氨水,可较好地控制反应,使镀银效果大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院	25	103	6.0	8.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院	100	570	12.0	17.0
3	李维强	郑州大学物理工程学院	9	82	4.0	9.0