SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

• 作者: 于广华 夏洋 张国海 朱逢吾 赵洪辰 马纪东 龙世兵
• 来源期刊: 北京科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连 扩散阻挡层 界面反应 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-053X.2003.01.010

摘要

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O3生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
2	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
3	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
4	张国海	中国科学院微电子中心	5	81	4.0	5.0
5	龙世兵	北京科技大学材料物理系	6	91	5.0	6.0
6	马纪东	北京科技大学材料物理系	9	52	4.0	7.0
7	赵洪辰	北京科技大学材料物理系	6	53	5.0	6.0