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摘要:
氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体.
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文献信息
篇名 用双光束激发改进纳米Si3N4激光合成工艺
来源期刊 光电子技术与信息 学科 化学
关键词 激光诱导化学气相沉积 纳米Si3N4 双光束激发
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目 材料与元器件
研究方向 页码范围 25-27
页数 3页 分类号 O644.18|TQ127.2
字数 2077字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王锐 中国科学院安徽光学精密机械研究所 53 317 11.0 15.0
5 黄永攀 中国科学院安徽光学精密机械研究所 14 82 6.0 8.0
9 罗丽明 中国科学院安徽光学精密机械研究所 10 74 5.0 8.0
10 浦坦 中国科学院安徽光学精密机械研究所 11 129 7.0 11.0
11 李道火 中国科学院安徽光学精密机械研究所 25 254 10.0 15.0
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研究主题发展历程
节点文献
激光诱导化学气相沉积
纳米Si3N4
双光束激发
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