硅中的点缺陷的控制和利用

• 作者: 闵靖
• 来源期刊: 上海有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 点缺陷 氧沉淀 体微缺陷 穿透位错对 内吸除 快速热退火
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 129-135
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 5559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2046.2003.03.006

摘要

介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比,影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布.合理设计热场分布,减少直拉硅单晶中的缺陷.低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片顶层硅中的间隙原子浓度,从而降低穿透位错的密度.最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术,通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布,从而得到理想的氧沉淀行为,实现了可靠、可重复的内吸除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵靖		8	39	3.0	6.0