集成电路中的晶化点缺陷分析

• 作者: 张晓雯 胡振益 高成 黄姣英
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 晶化点 缺陷 失效 金属化工艺 可靠性
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TM277
• 字数: 3816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.09.023

摘要

晶化点是集成电路金属化工艺中温度过高、合金导电性差的一种征兆,也会导致集成电路出现开路、短路等失效情形.总结了集成电路中晶化点缺陷的形成机理,对产生晶化点的工艺原因进行了探讨,并结合工程案例对晶化点缺陷导致的集成电路失效情形及有关失效机理进行了分析.最后,从工艺上提出若干改进这一缺陷的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄姣英	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	41	128	6.0	10.0
2	高成	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	42	195	8.0	13.0
3	张晓雯	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	10	13	3.0	3.0
4	胡振益	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	2	28	1.0	2.0