基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征

• 作者: H.Makino T.Yao 周均铭 李志锋 王基庆 郭旭光 陆卫 陈平平 陈弘 黄绮
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 工学
• 关键词: 半磁半导体 居里温度 超导量子干涉仪
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 126-131
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2003.02.006

摘要

通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料. Raman光谱, X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构. 这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置, 且多数形成了GaMnN三元相. 超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性. 磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制.