Bi2223/Ag超导带背景场损耗和磁场响应特性研究

• 作者: 何砚发 吴春俐 李景会 王金星
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 瓦特计技术 Bi2223/Ag 背景场损耗
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: TM26
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.021

摘要

采用改进的瓦特计技术,研究了在77K和低场范围内单芯和多芯Bi2223/Ag超导带的背景场损耗(包括表面损耗、磁滞损耗和耦合损耗)和在交变外磁场下的穿透电压与磁场响应特性.最小磁场小于1×10-4T.单芯带材和大块超导体的损耗一致,在整个磁场范围内损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当H<Hc1时,n约为1.2～1.8,损耗主要是表面损耗;当Hc1<H<Hp时,n≈3,损耗主要是磁滞损耗;当H>Hp时, n≈1.1,损耗主要是磁滞损耗.从单芯带材的损耗曲线我们得到了Bi2223相的Hc1≈6×10-4T.对于多芯带材而言,损耗由磁滞损耗和耦合损耗组成,耦合损耗起主要作用,损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当H<Hp(本样品Hp≈Hc1≈6×10-4T)时,n≈2,主要是耦合损耗,表面损耗可以忽略;当H>Hp时, n≈1.7, 损耗包括磁滞损耗和耦合损耗,耦合损耗占主要部分.在磁场小于1×10-4T的低场下,单芯和多芯带材损耗研究结果目前还未见报道.研究了超导体中穿透电压和外磁场的响应关系,给出了穿透电压和外磁场的关系曲线,结合超导体中的磁化强度变化过程对曲线给出了合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金星	东北大学物理系	28	184	7.0	12.0
2	何砚发	东北大学物理系	23	119	6.0	10.0
3	吴春俐	东北大学信息工程学院	22	117	5.0	10.0
4	李景会	东北大学物理系	5	18	3.0	4.0