生长温度梯度对Bi4Ge3O12晶体辐照损伤的影响

• 作者: 徐力 肖海斌 胡关钦
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi4Ge3O12晶体 温度梯度 辐照损伤 能量分辨率
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 470-474
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.035

摘要

研究了两类不同条件下生长的Bi4Ge3O12晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辨率也明显变差(改变5%以上).而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辨率基本不变.从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡关钦	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	32	3.0	5.0
2	徐力	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	13	2.0	3.0
3	肖海斌	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	0	0.0	0.0