a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算

• 作者: 周炳卿
• 来源期刊: 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si:H p-i-n型太阳电池 自洽法
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O742
• 字数: 2867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8735.2003.01.005

摘要

用自洽法计算了p-i-n型a-Si:H薄膜太阳电池中p-i和i-n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全收集条件Lpmin=μpτp*$εmin,计算出a-Si:H薄膜太阳电池的最佳i层厚度Xb.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理系	45	134	6.0	8.0